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🏭【強強聯手】美光預付產能、轉讓銅鑼廠！力積電如何靠 HBM 後段製造翻身？

作者：小編於 2026-02-06

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力積電在最新法說會中宣布，隨著與美光合作深化，已正式切入高頻寬記憶體後段製造供應鏈，成為法說最大亮點。雙方簽署合作意向書，力積電將分階段轉讓銅鑼廠予美光，獲取約 18 億美元資金以優化財務體質。受惠於 AI 需求爆發，力積電 3D AI 代工業務預計於三年內將營收佔比自 3% 提升至 20%。

目前營運已回歸改善軌道，第四季虧損明顯收斂。記憶體市場因 AI 排擠效應導致成熟製程如 DDR3、DDR4 出現供給缺口，價格持續上揚；邏輯代工則受益於「去中化」與 12 吋驅動 IC、電源管理 IC 需求轉強，自今年初起已調升報價，MOSFET 產能更出現供不應求，公司對 2026 年展望抱持樂觀態度。

🏭【強強聯手】美光預付產能、轉讓銅鑼廠！力積電如何靠 HBM 後段製造翻身？

隨著人工智慧（AI）浪潮席捲全球，半導體產業正經歷一場前所未有的結構性變革。力積電（PSMC） 於 2 月 5 日的法人說明會中，正式宣布與記憶體龍頭美光（Micron） 深化合作，成功切入 高頻寬記憶體（HBM） 後段晶圓製造供應鏈。這不僅是力積電營運史上的重大里程碑，更預示著公司將從傳統代工模式，跨足高毛利的先進封裝與 3D AI 代工領域。

本文將深入剖析力積電的最新財報表現、與美光的戰略合作細節、邏輯與記憶體代工的漲價動能，以及其 3D AI 佈局如何成為未來三年的核心成長引擎。

📌 文章導覽

[營運現況] 力積電 Q4 財報分析：虧損收斂與改善軌道
[戰略亮點] 攜手美光進軍 HBM：18 億美元挹注與專線佈局
[記憶體代工] 結構性缺口延續：DDR3、DDR4 與 NAND 價格走勢
[邏輯代工] 需求觸底回升：驅動 IC 與電源管理 IC 的報價調升
[技術前瞻] 3D AI 與先進封裝：CoWoS-L、CoPoS 的轉型藍圖
[投資建議] 2026 年展望與競爭力評估
[總結] 力積電的轉型關鍵期

💹 力積電營運重點摘要表

項目	核心內容與數據	未來展望/目標
財務表現	Q4 每股虧損 0.16 元（明顯收斂）	2026 年展望轉趨樂觀
美光合作	銅鑼廠轉讓，挹注 18 億美元	設置 HBM 後段製造專線
3D AI 營收比重	目前約 3%	目標 3 年內提升至 20%
報價動態	12 吋驅動 IC、感測器、MOSFET 調升報價	供不應求態勢預計延續至下半年
先進技術	導入 CoWoS-L、CoPoS、矽中介層擴產	強化先進封裝供應鏈地位

一、營運現況：虧損收斂，財務結構轉趨穩健

力積電在最近一次法說會中釋出了積極信號。儘管全球半導體景氣在過去一年面臨挑戰，但力積電的營運已顯示出明確的觸底回升跡象。

📉 1. 第四季財報解析

力積電公布第四季每股虧損為 0.16 元。雖然仍處於虧損狀態，但與前幾季相比，虧損幅度已大幅縮減。發言人強調，這代表公司已經回歸改善軌道，且目前的財務結構相當穩健，足以支撐後續的技術研發與產能擴充。

🚀 2. 2026 年的成長動能

公司對 2026 年 的展望轉趨樂觀。這份信心主要源於兩個面向：

AI 需求爆發： AI 伺服器對高性能組件的需求，直接帶動了力積電邏輯與記憶體產品的組合升級。
資產優化： 透過與美光的資產轉讓交易，力積電將大幅降低負債比率，提升資本運用效率。

二、戰略亮點：與美光的深度結盟與 HBM 佈局

本次法說會最令市場振奮的消息，莫過於與美光簽署合作意向書（MOU）。這標誌著力積電正式納入全球頂尖 AI 晶片供應鏈。

🏭 1. 銅鑼廠轉讓與 18 億美元資金

力積電決定分階段將銅鑼廠轉讓予美光。此舉預計能帶來約 18 億美元 的資金挹注。這筆鉅款將優先用於：

償還債務： 優化資產負債表。
技術研發： 加速 3D AI 與先進封裝技術的商業化。

💎 2. HBM 後段晶圓製造專線

美光已預付部分產能，力積電將在內部設置專線，專門支援 HBM（高頻寬記憶體） 的後段製造。HBM 是目前 AI GPU 不可或缺的核心組件，此項合作讓力積電從單純的代工廠，升級為 AI 供應鏈的關鍵配套夥伴。

三、記憶體代工：結構性失衡帶來的漲價紅利

總經理指出，全球記憶體市場正處於「結構性供需失衡」的狀態，這對於力積電而言是極大的利多。

📦 1. AI 伺服器的排擠效應

由於韓廠（三星、SK 海力士）與美光將產能優先配置於高價值的 HBM 與 DDR5，導致中低階 PC、手機應用的成熟製程產能被嚴重擠壓。

DDR3 / DDR4： 供給缺口預計延續至下半年，報價持續走高。
SLC NAND / NOR Flash： 隨著韓廠淡出 SLC NAND 市場，網通與工控領域的需求填補了缺口，價格同步看漲。

🚗 2. 車規產品的穩定增長

力積電在車用領域的佈局也傳出捷報。車規級記憶體的驗證過程雖然冗長，但一旦通過即具備長期的訂單穩定性。目前車用產品驗證進度正向，有望在未來幾年貢獻穩定的毛利。

四、邏輯代工：去中化與 AI 邊緣運算的雙重推力

在邏輯代工領域，力積電同樣感受到了春天的氣息，尤其是在 12 吋晶圓的需求上。

🖼️ 1. 驅動 IC 與感測器需求爆發

自今年 1 月起，12 吋驅動 IC (DDI) 與 影像感測器 (CIS) 的需求轉強。背後的動因包括：

客戶去中化布局： 歐美客戶為了規避地緣政治風險，持續將訂單轉向台灣。
產能缺口： 由於部分機台與記憶體共用，在 AI 需求拉動下，邏輯端產能出現排擠，力積電已順勢調升報價。

🔌 2. 電源管理與功率元件

AI 運算不僅需要強大的處理器，更需要高效的電源管理。

電源管理 IC ： 受惠於 AI 伺服器與邊緣應用需求。
MOSFET： 2 月起產能已出現供不應求的現象，這對於力積電的產能利用率提升有著顯著幫助。

五、技術前瞻：3D AI 代工與先進封裝的宏大圖誌

力積電正積極推動公司轉型，目標是成為全球 3D AI 代工 的領航者。

🔗 1. 矽中介層的擴產

矽中介層是先進封裝（如 CoWoS）中的關鍵零組件。力積電目前：

良率已達穩定量產水準。
除了既有的 CoWoS-S 平台，亦導入了 CoWoS-L 與 CoPoS 延伸方案。

🚀 2. 營收目標：三年內佔比達 20%

目前 3D AI 業務僅占總營收的 3%，但力積電設定了宏大的目標：三年內將此比重提升至 20%。這將使力積電擺脫「成熟製程價格戰」的泥沼，進入高附加價值的先進代工領域。

🔎 六、專家建議與市場觀察

針對力積電的最新動態，產業分析師給出以下幾點觀察建議：

關注現金流運用： 18 億美元的資金入帳後，力積電能否有效縮短 28nm 以下先進製程或 3D 封裝的量產時程，是觀察重點。
HBM 的外溢效應： 與美光的合作可能吸引其他記憶體模組廠或 IC 設計公司尋求與力積電進行類似的 3D 堆疊代工合作。
地緣政治紅利： 「去中化」訂單的續航力將決定力積電在邏輯代工領域的市佔率能否進一步擴張。

🏁 七、結論：力積電的華麗轉身

力積電不再僅僅是一家傳統的記憶體與邏輯代工廠。透過與美光的戰略結盟、切入 HBM 供應鏈，以及積極佈局 3D AI 先進封裝，力積電展現了強大的轉型韌性。

雖然目前仍面臨微幅虧損，但隨著記憶體價格的持續走升，以及 3D AI 業務營收比重的拉高，力積電正穩步走向盈利成長的新週期。對於投資者與產業觀察者而言，力積電在 AI 浪潮下的轉型表現，絕對值得持續關注。

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