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⚡ 世界先進氮化鎵戰力爆發！AI 資料中心與電動車都要它！看懂「全電壓」GaN 布局的投資價值

作者：小編於 2026-01-29

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世界先進（VIS）於 2026 年 1 月 28 日正式宣布重大策略轉型，已與台積電簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術授權。隨台積電逐步聚焦先進製程並退出 GaN 生產，世界先進承接此核心戰力，加速開發新一代電源元件。世界先進將結合現有的 GaN-on-Si 與獨家 GaN-on-QST 平台，成為全球首家能同時提供雙基板、涵蓋 15V 至 1200V 全電壓解決方案的代工廠。該技術預計 2026 年初啟動開發，2028 年上半年量產，精準鎖定 AI 資料中心、車用電子及能源管理等高效能電能轉換市場。此舉不僅強化其化合物半導體布局，更在成熟製程受擠壓的背景下，開闢具高附加價值的全新獲利賽道。

⚡ 世界先進氮化鎵戰力爆發！AI 資料中心與電動車都要它！看懂「全電壓」GaN 布局的投資價值

📌 目錄

戰略棋局：台積電為何「棄守」轉「授權」？世界先進的接力賽
核心黑科技：高壓 (650V) 與低壓 (80V) 氮化鎵的關鍵優勢
獨門競爭力：GaN-on-Si 與 GaN-on-QST 雙平台佈局深度解析
殺手級應用：AI 資料中心、車用電子與能源管理的效能革命
量產時間軸：2026 啟動、2028 量產的財務預估與獲利模式
產業鏈風暴：力積電、漢磊、英諾賽科——全球 GaN 戰局重新洗牌
投資人建議：成熟製程翻身！如何佈局「第三代半導體」轉型紅利
結論：定義未來十年的電力轉化新標竿

💡 引言：當「矽」達到物理極限，氮化鎵接管戰場

在 2026 年初的半導體界，一場關乎全球能源效率的權力交接正式完成。1 月 28 日，世界先進（VIS）宣布與台積電簽署重大技術授權協議。這不僅是一次單純的專利轉讓，更是台積電在去年 7 月宣布逐步退出氮化鎵業務後，將這根象徵「未來電力心臟」的接力棒，精準交到了其子公司世界先進手中。

隨著全球 AI 算力爆炸，資料中心對能耗的要求近乎苛刻，加上電動車對續航里程的極致追求，傳統的矽製程已面臨物理極限。氮化鎵以其高頻率、耐高壓、小型化的特性，成為能源轉型的聖盃。世界先進如何透過這次「大躍進」，成為全球唯一能提供多種基板解決方案的晶圓代工巨頭？本文將帶您深度拆解這場關鍵布局。

🏗️ 1. 戰略棋局：台積電為何「棄守」轉「授權」？

🚩 台積電的「減法」戰術

台積電在 2025 年宣布兩年內逐步退出 GaN 業務，主因並非技術不成熟，而是 「策略集中化」。

聚焦先進製程：台積電必須將 100% 的精力投入 2 奈米、1.4 奈米以及 A16 技術，並應對 CoWoS 封裝的產能缺口。
優化毛利結構：GaN 目前仍處於削價競爭階段（如中系業者英諾賽科的價格戰），這與台積電追求高毛利、高門檻的戰略不符。

🚩 世界先進的「加法」戰略

對於世界先進而言，這是一場 「成熟製程的救命索」。

技術大躍進：世界先進直接跳過 3-5 年的研發期，獲得經過台積電驗證、最穩定的 650V 與 80V 製程技術。
產能填補：隨著大陸成熟製程大舉開出，8 吋廠面臨嚴峻挑戰，轉向 GaN 這種高效能電源元件是提升產能利用率的最佳路徑。

🧪 2. 核心黑科技：高壓與低壓氮化鎵的關鍵優勢

氮化鎵（GaN）屬於寬禁帶半導體，其物理特性遠優於傳統矽基元件。

📊 氮化鎵 (GaN) vs. 傳統矽 (Si) 技術指標對照

項目	傳統矽 (Si)	氮化鎵 (GaN)	產業應用效益
能效轉換率	約 85-90%	95% 以上	顯著降低熱能損耗，實現綠色能源
功率密度	低	極高	充電器、伺服器電源體積縮小 50%
開關速度	慢（kHz 等級）	極快（MHz 等級）	減少周邊電子零件數量與尺寸
操作電壓	受限	可達 1200V	滿足電動車高壓快充需求

💎 3. 獨門競爭力：雙基板布局

世界先進在取得授權後，正式成為全球唯一能同時提供兩種基板解決方案的公司。

🔋 矽基底氮化鎵

成本與成熟度：利用現有 8 吋廠設備，能快速大規模量產，滿足消費電子快充、低壓車用電子。
本次授權核心：台積電移交的 80V 與 650V 主要是基於此平台。

🌠 新基底氮化鎵

效能極限：QST 基板（與 Qromis 合作）能完美解決 GaN 與基板間的熱膨脹係數不匹配問題。
進軍 1200V：這讓世界先進能開發用於工業電網、電動車主驅動逆變器的超高壓產品，直接與碳化矽（SiC）競爭。

🚗 4. 殺手級應用：AI 與電動車的效能革命

🏢 AI 資料中心：算力背後的「電力守護者」

現代 AI 伺服器能耗極高。GaN 能在更小的體積下提供更大功率，協助伺服器電源模組（PSU）達到 80 PLUS 鈦金級標準，大幅降低資料中心的冷卻電費支出。

🏎️ 車用電子：電動車「小型化」的秘密武器

車載充電器 (OBC)：GaN 可將體積縮小 40%，減輕車重並增加續航。
48V 轉 12V DC-DC：低壓 80V GaN 元件是現代車內輕混系統與資訊娛樂系統的核心，確保供電穩定且高效。

📈 5. 量產時間軸：2026 啟動、2028 量產的財務預估與獲利模式

世界先進此次的技術授權協議，在財務結構上具有典型的「遞延爆發」特徵。

🕒 開發與驗證期 (2026-2027)

資本支出挪移：世界先進目前擁有五座 8 吋廠。自 2026 年初啟動開發後，部分的資本支出將從傳統的電源管理 IC (PMIC) 轉移到 GaN 的相關設備改裝（如 MOCVD 設備）。
營收緩衝：此階段為「投資期」，世界先進將在成熟的 8 吋平台上驗證台積電的 650V 高壓製程，目標是將良率控制在 90% 以上，確保與現有平台的「無縫接軌」。

💰 2028 年量產後的獲利模型分析

當 2028 年上半年進入量產階段，世界先進的財報將迎來三大改變：

ASP（平均銷售單價）顯著拉升：
GaN 晶圓的 ASP 遠高於傳統的矽基 PMIC。隨著 650V 高壓元件進入資料中心電源供應器 (PSU) 市場，其單片利潤預期比傳統產品高出 15-25%。
產品組合轉型：
目前世界先進高度依賴 LCD 驅動 IC 與低階功率元件。2028 年後，高效能 GaN 的占比提升，將有效對沖大陸成熟製程價格戰的衝擊。
毛利率擴張效應：
由於 GaN 元件具有高技術門檻與客戶粘著度（特別是車用與工控），世界先進的整體毛利率有望朝向 35% 以上的長期目標靠攏。

🌪️ 6. 產業鏈風暴：力積電、漢磊、英諾賽科——全球 GaN 戰局重新洗牌

世界先進取得台積電的「神功祕笈」後，原本膠著的第三代半導體戰局瞬間明朗。

📊 全球主要 GaN 代工玩家戰力對比

廠商	核心戰略	競爭優勢	潛在威脅
世界先進	台積電授權+雙基板	唯一能做 GaN-on-QST 到 1200V	量產時間在 2028，需防對手超車
力積電	漢磊合作+轉單	承接台積電原客戶的即時需求	技術純度與穩定性需長期考驗
漢磊	世界先進入股合作	世界先進的 SiC 與 GaN 前哨站	產能規模較小，需仰賴大廠灌單
英諾賽科	IDM 大規模低價戰	產能極大、中國內需市場護航	專利訴訟風險與地緣政治關稅

🔍 洗牌效應解析

台積電的退出並非看淡市場，而是將 GaN 「標準化」的任務交給世界先進。這意味著未來 650V 的電源管理規格將可能以台積電（即世界先進）的參數為產業標竿。原本在 GaN 領域苦苦掙扎的二線廠商，將面臨更嚴苛的規格挑戰。

💎 7. 投資人建議：成熟製程翻身！如何佈局「第三代半導體」轉型紅利

對於追求長期價值的投資者，世界先進的這一跳，是從「紅海成熟製程」跨入「藍海化合物半導體」的關鍵轉折。

💡 投資觀點評估

關注 2026-2027 的驗證進度：
這兩年雖然營收不會爆發，但每季的「客戶導入數」與「良率數據」是股價的領先指標。
看好入股漢磊的戰略綜效：
世界先進透過入股漢磊，已在 SiC (碳化矽) 與 GaN 同時布樁。這種「全餐式」的第三代半導體佈局，在台灣晶圓代工業中僅此一家。
地緣政治紅利：
當美國與歐盟對中系 GaN 元件（如英諾賽科）施加壓力時，世界先進將成為全球 AI 資料中心客戶最穩定、最合規的替代供應來源。

🏁 8. 結論：定義未來十年的電力轉化新標竿

世界先進與台積電的這次合作，不僅僅是技術的傳承，更是 「電力效率權力轉移」 的證明。

不再只是 8 吋廠：世界先進正透過 GaN-on-Si 與 GaN-on-QST 雙平台，撕掉「成熟製程」的標籤。
低中高壓全覆蓋：從消費電子（15V-80V）到資料中心（650V），甚至是超高壓車用（1200V），世界先進已完成全電壓布局。

總結而言，2026 年是開發元年，2028 年將是獲利爆發年。對於台灣半導體產業而言，世界先進氮化鎵戰力的加入，將確保台灣在 AI 算力領先的同時，也掌握了 AI 動力的核心命脈。

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