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💾 記憶體史詩級暴漲！三星、SK海力士 DRAM 狂飆 70%：AI 伺服器飢渴難耐，科技產業洗牌戰全面開打

作者：小編於 2026-01-06

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2026 年全球記憶體市場正式進入賣方市場的「強勢循環」。受惠於 AI 伺服器與資料中心建置需求爆發，產業巨頭三星電子與 SK 海力士宣布 2026 年第一季 DRAM 報價將調漲 60% 至 70%。這場由 HBM（高頻寬記憶體）產能排擠引發的風暴，不僅帶動韓股創下歷史新高，更讓台灣供應鏈出現顯著的外溢效應。

製造廠南亞科、華邦電及庫存充足的模組廠威剛、十詮預計將迎來獲利爆發期。然而，對於 PC 與智慧手機端，隨著 BoM 成本大幅攀升，消費者恐面臨終端售價上調與硬體規格降級的雙重挑戰。在 AI 算力軍備競賽持續升溫下，DRAM 價格預計將呈現「逐季階梯式上調」，並至少延續至 2027 年。

💾 記憶體史詩級暴漲！三星、SK海力士 DRAM 狂飆 70%：AI 伺服器飢渴難耐，科技產業洗牌戰全面開打

📌 目錄

引言： 記憶體市場的「賣方霸權」時代正式降臨
核心動態： 三星與 SK 海力士的報價策略解析
供需失衡： 為什麼 AI 伺服器會「吸乾」全球 DRAM 產能？
細分市場影響： PC、手機與伺服器 DRAM 的三重夾擊
概念股掃描： 台廠南亞科、華邦電與模組廠的「外溢效應」
技術透視： HBM 與 DDR5 先進製程的產能排擠效應
觀點與建議： 企業採購策略與投資者的避險藍圖
結論： 迎接記憶體「逐季階梯式」上漲的新紀元

🌐 引言：記憶體市場的「賣方霸權」時代正式降臨

2026 年初，全球科技產業迎來了震撼彈。隨著人工智慧（AI）算力需求的爆炸式成長，全球兩大記憶體巨頭——**三星電子（Samsung Electronics）**與 **SK 海力士（SK Hynix）**正式發出漲價通告：2026 年第一季伺服器 DRAM 報價將調漲 60% 至 70%。這不僅僅是一次價格調整，更是記憶體產業歷史上罕見的「強勢賣方循環」。當資料中心與雲端服務供應商（CSP）瘋狂擴建 AI 基礎設施，DRAM 已經從單純的零組件進化為與 GPU 同等地位的戰略物資。本文將深度解讀這場「記憶體風暴」如何改寫全球科技供應鏈的遊戲規則。

📈 三星與 SK 海力士的報價策略解析

根據供應鏈與調研機構的最新數據，這兩家具備全球超過七成市佔的韓系廠商，其漲價幅度之大、速度之快，已改寫近十年來的紀錄。

💰 跳脫長約限制，改採彈性季度合約

為了在報價上行周期中鎖定最大獲利，兩大廠傾向採取 「季度合約」 而非傳統的一年期或多年期長約。這意味著採購方（如 Dell, HP, Apple）被迫承受極高的成本波動風險，市場進入「逐季階梯式上調」模式。原廠希望保留價格調整的彈性，以反映隨時可能爆發的 AI 算力需求。

🇰🇷 韓股領頭羊效應，KOSPI 指數創歷史新高

漲價消息一出，三星股價單日大漲近 7.5%，SK 海力士同步走強。這反映了資本市場對於「高毛利時代」回歸的高度期待。記憶體大廠的獲利結構正從傳統的「標準量產模式」轉型為「AI 高價值定價模式」。

🌪️ 為什麼 AI 伺服器會「吸乾」全球 DRAM 產能？

這場漲價的核心驅動力只有一個字：AI。

🧠 HBM（高頻寬記憶體）的產能吞噬效應

AI 伺服器需要搭載大量的 HBM（High Bandwidth Memory），其生產過程中對晶圓（Wafer）的消耗量是傳統 DDR5 的 2 至 3 倍。

產能排擠： 三星與 SK 海力士為了滿足 NVIDIA 與 AMD 的次世代 GPU 需求，將原本用於生產 PC 與手機 DRAM 的先進製程產能大規模移轉至 HBM。
供給真空： 這種「產能大挪移」導致了一般消費型市場（如筆電、中低階手機）出現嚴重的供給緊縮。

🏗️ CSP 雲端大廠的搶貨大戰

美系三大 CSP（Amazon AWS, Microsoft Azure, Google Cloud）自 2025 年底起，為了推論型伺服器的全球部署，持續對原廠釋出「追加拉貨（Pull-in）」需求。財大氣粗的 CSP 擁有較佳的採購紀錄與預付款能力，因此獲得了原廠主要的位元（Bit）供給，導致小型模組廠只能在現貨市場高價搶貨。

📱 細分市場影響：PC、手機與伺服器的三重夾擊

即便 PC 與手機市場在 2026 年第一季處於傳統淡季，但由於「供給端」的絕對收縮，價格漲勢依然難以阻擋。

💻 PC DRAM 的降規與高價採購窘境

儘管 PC 整機出貨量受通膨影響可能下修，但 OEM 廠正面臨前所未有的考驗。

高價掃貨： 由於原廠收緊供應，PC OEM 廠被迫向模組廠（如威剛、十詮）以更高報價採購，這將直接墊高原廠模組行情。
降規預警： 部分低階機種可能為了節省成本而降低記憶體搭載容量，但這與 Windows 12 或 AI PC 的 16GB RAM 最低門檻背道而馳。

🤳 手機端 LPDDR4X、LPDDR5X 的供不應求

手機品牌即便在淡季，也因為擔心未來數季合約價會進一步飆升，而在第一季維持強勁的拉貨力道。為了確保下半年旗艦機的出貨順暢，各品牌廠選擇在價格還沒漲到頂峰前大量進貨，形成「淡季不淡」的採購熱潮。

📊 2026 Q1 記憶體產品類別預估漲幅對照表

產品類別	預估合約價季增幅 (QoQ)	主要需求來源	供應受限原因
伺服器 DRAM	60% ～ 70%	AI 訓練、推論伺服器	HBM 生產排擠
一般型 DRAM	55% ～ 60%	AI PC、高速邊緣運算	先進製程產能移轉
NAND Flash	33% ～ 38%	Enterprise SSD	原廠控管產能
Mobile DRAM	45% ～ 50%	高階智慧手機 (AI Phone)	LPDDR5X 生產受阻

🇹🇼 概念股掃描：台廠概念股的「外溢效應」與獲利爆發

2026 年第一季，當三星與 SK 海力士針對 AI 伺服器客戶喊出 70% 的漲幅時，市場的焦點迅速轉向台灣供應鏈。這不僅僅是價格的連動，更是一場「產能轉移」引發的連鎖反應。

🏭 1. 記憶體製造廠：南亞科與華邦電的「利基紅利」

台系製造廠長期以來避開與韓系巨頭在標準型 DRAM（Commodity DRAM）的正對決，轉而深耕利基型（Specialty）與低功耗（Low Power）市場。

⚡ 產能排擠下的替代效應： 隨著韓系大廠將 1α、1β 等先進製程產線全力投入 HBM（高頻寬記憶體）與 Server DRAM，原本供應給消費電子、工業控制及車用電子的一般型 DDR4 與 DDR3 出現嚴重的「供給斷層」。
📈 南亞科（2408）： 南亞科在 2026 年受益於自家 10nm 級（1B）製程 的良率突破。當市場上 DDR4 供給銳減時，南亞科成為全球少數能穩定提供高質量、非韓系來源的供應商。其毛利率預計從 2025 年底的低點，在 2026 年首季實現「跳躍式」翻倍，主要動能來自於利基型產品的 ASP（平均售價）大幅調漲。
🏗️ 華邦電（2344）： 華邦電在 AI 邊緣運算（Edge AI） 與 IoT 領域的布局在此刻迎來收割。由於 AI 終端裝置（如 AI PC 與 AI 手機）除了主記憶體外，仍需要大量低功耗記憶體（LPDDR），華邦電的客製化記憶體解決方案（CUBE）成為市場搶手貨，使其在 2026 年第一季的議價能力達到十年來最高點。

📦 2. 模組廠的庫存價值重估：從資產到「提款機」

模組廠如 威剛（3260）、十詮（4967）、創見（2451）及宜鼎（5289），是這場漲價風暴中最靈敏的哨兵。

💰 低價庫存的暴利變現： 根據 2025 年第四季的財報觀察，台系模組廠普遍採取了「激進囤貨」策略。當 2026 年首季合約價暴漲 60% 時，這些廠商手中的低價庫存瞬間增值。
📊 威剛與十詮： 這兩家廠商在電競（Gaming）與高階 PC 領域擁有極高市佔。隨著 DDR5 價格被伺服器拉抬，消費性市場的 DDR5 零售價亦步亦趨。模組廠透過「現貨價領先合約價」的特性，不僅能回沖過去的跌價損失，更能賺取驚人的價差（Spread）。
🛡️ 宜鼎（Industrial AI）： 宜鼎專注於工業級市場，這類市場的客戶（如醫療、航太）對價格敏感度較低，但對穩定供應要求極高。宜鼎透過長期與原廠簽訂的供給保證，在 2026 年供貨緊縮期展現了強大的「保證交貨」能力，帶動其工業用 SSD 與記憶體模組的溢價空間。

🛠️ 技術透視：先進製程轉移的骨牌效應

為什麼這次漲價會被業界形容為「逐季階梯式」上行？我們必須從半導體製程的物理極限與產能結構來深度解構。

🔬 1. 從 1α 到 1β，甚至是 1γ 的跨越：物理極限的制約

在 2026 年，DRAM 技術進入了 1-gamma (1γ) 製程的導入期，但主力產能仍停留在 1-beta (1β)。

📉 位元成長率（Bit Growth）的失速： 隨著電晶體微縮接近極限，每一片晶圓所能增加的位元數（Bit Density）增長幅度已降至 15% 以下。這意味著即便工廠全開，供給的自然成長也跟不上 AI 需求 40% 以上的年增長率。
⚖️ EUV 設備的產能瓶頸： 先進 DRAM 生產極度依賴 EUV（極紫外光）曝光機。然而，EUV 設備的交期長且維護成本高，這導致原廠即便想擴產，也受限於設備到貨速度。這種「硬性供給受限」構成了價格上漲的底層支撐。

🏗️ 2. 良率挑戰：HBM 堆疊技術的「產能黑洞」

HBM（高頻寬記憶體）是造成 2026 年 DRAM 大缺貨的「主謀」。

🕯️ HBM 的「低良率」代價： HBM 需要將 8 層、12 層甚至 16 層 DRAM 晶片透過 TSV（矽穿孔） 技術進行垂直堆疊。由於封裝難度極高，其綜合良率遠低於標準型 DDR5。
📉 產能消耗倍數： 為了產出同樣位元數的 HBM3e 或 HBM4，原廠需要消耗比標準 DRAM 多出 2 至 3 倍 的晶圓產能。這意味著 AI 伺服器每增加一單位需求，消費市場就會消失三單位的供給。
🌊 NAND Flash 的「補漲」邏輯： 當原廠將研發預算與產能重兵部署在 DRAM 時，對 NAND Flash 的資本支出自然被排擠。
- Enterprise SSD 爆發： AI 模型不僅需要運算，還需要大量的存儲空間（Check-pointing）。這導致企業級 SSD 需求遠超預期。
- 雙漲局面： 原廠控管產能以追求獲利最大化，使得 2026 年出現了罕見的「DRAM 與 NAND 價格同步階梯式狂飆」的壯觀景象。

💡 觀點與建議：企業採購策略與投資者的避險藍圖

作為產業觀察者，我們認為這波行情將會是長達兩年的「超級大循環」。

🔍 專家觀點：AI 是否存在「記憶體泡沫」？

目前看來，AI 伺服器的建置仍處於「軍備競賽」早期階段，需求並非虛幻。但需注意，當 DRAM 成本佔伺服器總成本比率過高時，是否會壓抑非 AI 相關（如一般行政系統）的採購支出。長期來看，這將迫使軟體優化，以減少對記憶體的過度依賴。

📝 給企業採購與投資者的具體建議

策略性採購： 既然趨勢是「逐季階梯式上調」，延後採購只會導致成本更高。建議企業提早鎖定 Q2 甚至 Q3 的供應額度。
關注模組廠獲利： 模組廠將在第一季末財報中展現驚人的「庫存利潤」，股價通常領先反映。
HBM 供應鏈布局： 雖然標準型 DRAM 漲幅驚人，但真正掌握護城河的是能生產 HBM3e/HBM4 的領先者，以及其相關設備供應商。

✅ 結論：迎接記憶體「逐季階梯式」上漲的新紀元

2026 年是記憶體產業的「奇點」。由 AI 伺服器引爆的 DRAM 報價 70% 漲幅，僅僅是這波大週期的序幕。隨著三星與 SK 海力士將產能重兵部署於高價值產品，全球科技業必須適應「記憶體昂貴化」的現實。從智慧型手機、個人電腦到雲端資料中心，無一能在此次漲價潮中倖免。然而，對於供應鏈企業而言，這是一場久違的盛宴；對於投資者而言，這是一次難得的產業結構性獲利機會。

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