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💾 AI 伺服器需求大爆發：NOR Flash 漲價潮延續下半年，旺宏、力積電營運轉機拆解

作者：小編於 2026-01-19

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2026 年全球記憶體產業迎來「超級循環」巔峰，摩根士丹利（大摩）近日同步調升南亞科、華邦電、旺宏及力積電的目標價，明確指出市場供應趨緊且「完全沒有悲觀理由」。受惠於 HBM4 產能對主流 DRAM 的排擠效應，DDR4 第一季漲幅預估達 50%，且勢頭將延續至第二季，帶動高密度 DDR3 補漲。

南亞科於 1 月 19 日法說會釋出驚人獲利指標，單季毛利率逼近 50%，顯示報價上揚帶來的獲利爆發力。華邦電因具備 DRAM、NOR Flash 與 NAND 多元產品線，被大摩列為族群首選。與此同時，三星 MLC 退場引發的供應斷層，為旺宏與力積電創造了絕佳的補漲契機。隨著 AI 伺服器與邊緣運算需求爆發，台廠正處於 ROE 擴張與評價重估的黃金交叉點，2026 年將是記憶體產業利潤極大化的關鍵年度，投資者應密切關注報價走勢與產能結構變遷。

💾 AI 伺服器需求大爆發：NOR Flash 漲價潮延續下半年，旺宏、力積電營運轉機拆解

📌 目錄

【全球宏觀】2026 年記憶體供應緊俏的背景與震撼真相
【趨勢解析】傳統記憶體的超級循環：為何今年比往年更強大？
【技術變革】DDR4 與 DDR3 的產能置換邏輯與漲價心理學
【個股點將】南亞科：引領多頭行情的「處置股」標杆深度分析
【首選透視】華邦電：多產品線佈局下的 ROE 擴張路徑
【補漲黑馬】旺宏與力積電：低評價、高轉機的投資潛力
【產能博弈】三星減產與美系供應縮減下的台廠紅利
【操作建議】法說會行情後的選股策略與風險管理
【總結展望】完全沒有悲觀理由：擁抱記憶體的新黃金時代

🌟 引言：2026 年記憶體市場的「轟動時刻」

在 2026 年的今天，記憶體產業正迎來十年一遇的超級循環。摩根士丹利（大摩）近期的一份報告，不僅震撼了法人圈，更直接點燃了市場的投資熱情。大摩明確表示：「目前完全找不到轉悲觀的理由。」

隨着南亞科 1 月 19 日法說會的召開，市場正屏息以待這波多頭行情的下半場該如何演繹。這不僅是短期報價的彈升，更是一場關於產能結構性短缺與 AI 需求爆發的完美風暴。

🔍【全球宏觀】2026 年記憶體供應緊俏的背景與震撼真相

📈 AI 伺服器規格升級：HBM 對產能的「黑洞式」吞噬

進入 2026 年，AI 伺服器的標準規格已從 HBM3E 轉向 HBM4。HBM4 的堆疊層數更高、生產難度更大，導致全球記憶體三巨頭（三星、SK海力士、美光）必須撥出 30% 以上的原有 DRAM 產能來填補 HBM 的需求缺口。

產能排擠效應： 由於 HBM 的晶粒尺寸遠大於傳統 DDR4/DDR5，每生產一顆 HBM 晶粒，等於損失了三顆以上的傳統 DDR 產能。這正是 2026 年傳統記憶體「供應緊俏」的根本真相。
數據中心擴張： 雲端服務供應商如微軟、亞馬遜在 2026 年持續加大資本支出，單台伺服器的記憶體搭載容量較兩年前翻倍。

📈 終端需求復甦：AI PC 與 AI 手機的換機潮

2026 年被視為 AI 終端設備的元年。AI PC 的記憶體門檻起跳即為 32GB，這讓原本低迷的消費性 DRAM 市場在一夕之間轉為供不應求。

🔍【趨勢解析】傳統記憶體的超級循環：為何今年比往年更強大？

⚙️ 十年一遇的結構性缺貨：不再只是週期波動

傳統記憶體循環通常維持 1.5 到 2 年，但 2025 年第二季啟動的這波循環，到了 2026 年反而愈演愈烈。

庫存水平見底： 經歷了 2023-2024 年的減產大洗牌，全球通路庫存目前已降至歷史低位，甚至出現「一線大廠積極掃貨」的現象。
定價權重回供應商手中： 供應商目前的策略是「以利潤為先」，不再盲目追求市佔率。這導致合約價在 2026 年第一季出現了驚人的漲幅。

⚙️ 股東權益報酬率（ROE）的階梯式擴張

大摩看好記憶體四強的評價向上，核心邏輯在於利潤率的跳升。當毛利率從 20% 躍升至 40% 以上，企業的 ROE 會呈現指數型增長，這將吸引長線主動型基金與主權基金的強力回補。

🚀【技術變革】DDR4 與 DDR3 的產能置換邏輯與漲價心理學

💡 DDR4 漲價心理學：第一季 50% 的漲幅只是起點

隨著三大廠將產能全力轉向 DDR5 與 HBM，全球 DDR4 的有效供應量在 2026 年預計減少 40%。

採購轉向積極： 企業客戶在 1 月份觀測到供應鏈斷裂風險後，從原本的按需採購改為「提前鎖量」。
漲勢延續性： 大摩認為 DDR4 的漲勢將貫穿整個上半年，且台灣供應商如南亞科具備靈活調整產線的能力，能在此刻榨出每一分位元出貨量。

💡 高密度 DDR3 的稀缺性：高階需求倒灌

當產能向 DDR4/DDR5 傾斜時，DDR3 市場出現了嚴重的真空。

工控與通訊支撐： 許多長壽命週期的產品（如網通設備、智慧家庭）仍依賴 DDR3。在供應商退場的情況下，DDR3 成為了具備「利基型」屬性的高毛利產品。

💎【個股點將】南亞科：引領多頭行情的「處置股」標杆深度分析

🏢 法說會定錨：單季 EPS 的爆發性增長

南亞科於 1 月 19 日召開法說會，釋出的數據震撼市場。

財務表現： 2025 年第四季毛利率高達 49.0%，單季 EPS 衝上 3.58 元，反映出 DRAM 價格暴漲的實質貢獻。
資本支出加碼： 南亞科預計 2026 年資本支出將上看 500 億元，用於加速 10 奈米級第二、三代製程（1B/1C）的量產。這顯示公司對未來兩年的多頭行情極具信心。

🏢 處置股期間的籌碼換手：大摩調升目標價至 298 元

儘管被列入處置股（20 分鐘分盤交易），南亞科股價依舊強悍。大摩將目標價從原先的 245 元再次上調至 298 元。

觀點： 處置期間的震盪反而清洗了浮動籌碼，讓長線法人有機會在低位建倉。

💎【首選透視】華邦電：多產品線佈局下的 ROE 擴張路徑

🔦 記憶體族群的投資首選：DRAM + NOR + NAND

華邦電是少數能同時受惠於 DRAM 與 Flash 漲價潮的標的。

NOR Flash 的驚喜： 由於 AI 伺服器導入 HBM4 需要更多 NOR Flash 來存儲 BIOS 與管理程序，華邦電的第一季 NOR Flash 報價調漲 20%-30%。
美國客戶採用 IPD： 華邦電轉投資子公司在 CoWoS 等先進封裝領域的進展，為母公司帶來額外的估值溢價。

🔦 評價重估：從硬體商到 AI 供應鏈核心

大摩維持華邦電為首選，目標價喊上 130 元，理由是其產能利用率在 2026 年將維持在 100% 滿載，且特殊型記憶體的價格彈性遠超主流產品。

💎【補漲黑馬】旺宏與力積電：低評價、高轉機的投資潛力

🏇 旺宏：NOR Flash 的龍頭反擊

旺宏在 2025 年表現落後大盤，但在 2026 年第一季迎來轉機。

產能調整紅利： 旺宏將部分 NOR 產能轉向生產 MLC NAND Flash（受惠於三星退場），這讓其整體毛利結構出現質變。
AI 伺服器門票： 高密度 NOR Flash 出現供給真空，旺宏作為全球龍頭，定價權極強。

🏇 力積電：銅鑼新廠與代工價格的上揚

力積電在 2026 年初與美光簽署協議，銅鑼新廠獲得大筆資金挹注，這大幅減輕了財務壓力。

代工利潤回升： 隨著記憶體市場供需轉緊，力積電的記憶體代工報價同步啟動調漲，使其在 2026 年具備極強的獲利轉機性。

📊【產能博弈】三星減產與美系供應縮減下的台廠紅利

🌍 三星 MLC 退場：2026 年 6 月的最後期限

三星已宣布 MLC NAND 將在 2026 年 6 月終止出貨。

供給斷層： 全球 MLC 產能預計在 2026 年年減 41.7%。這對於工控、醫療與車用等對穩定度要求極高的領域來說是重大衝擊。
旺宏的機會： 旺宏已準備好承接這波退場紅利，預期 2026 年獲利將大幅優於法人預期。

🌍 地緣政治與關稅談判：台灣半導體的「三好行情」

隨着台美貿易協議草案有望簽訂，台灣記憶體廠商在國際市場的稅率競爭力與日、韓齊平，這進一步鞏固了台廠在 AI 供應鏈中的地位。

💡 【操作建議】法說會行情後的選股策略與風險管理

分批佈局，不追高： 雖然大摩看好，但處置股期間震盪劇烈，建議投資者在分盤交易的低點分批切入。
關注 DDR4 報價指數： 報價是記憶體股的靈魂。只要現貨價與合約價維持上升趨勢，多頭結構就不會改變。
配置比例建議：
- 核心配置（50%）： 南亞科、華邦電（領頭羊，穩定性高）。
- 衛星配置（30%）： 旺宏、力積電（補漲屬性，爆發力強）。
- 風險配置（20%）： 現金或避險資產，對應全球地緣政治風險。

📍 【總結展望】完全沒有悲觀理由：擁抱記憶體的新黃金時代

2026 年是記憶體產業的「大年」。從 DDR4 的暴漲到 NOR Flash 的長紅，每一項指標都指向同一個結論：這是一個由超級需求與稀缺供應共同打造的牛市。

大摩的報告只是這波行情的引信，真正的火藥來自於全球 AI 工業化的不可逆趨勢。台廠記憶體四強憑藉著紮實的技術與靈活的產能調度，正走在股東價值極大化的坦途上。

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