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🏭45億投資背後的秘密:台亞積亞雙軌布局如何影響全球功率元件供應鏈?

作者:小編 於 2025-08-22
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台亞 (2340-TW) 旗下子公司積亞半導體近期大手筆布局碳化矽 (SiC) 功率元件,斥資45億元向母公司新竹廠租賃廠房建立新產線,預計小型產線年產能達2000片。積亞專注 SiC,鎖定電動車、綠能及工業能源應用;母公司台亞則發展氮化鎵 (GaN),主攻快充與通訊市場,形成雙軌策略。此次投資不僅擴充產能,也強調智慧製造與永續發展,導入 AI 智慧監測、自動化封裝與廢材循環再利用,提升良率與能源效率。專家建議透過政策支持、供應鏈整合與技術突破,降低 SiC 良率與散熱瓶頸問題。此布局符合台灣政府第三代半導體國家隊方向,並對全球市場形成競爭優勢。母子公司協同運作,使台亞在 GaN × SiC 雙軌市場中具備完整產品線、技術實力與國際市場潛力,將成為台灣第三代半導體產業的重要里程碑。

🏭45億投資背後的秘密:台亞積亞雙軌布局如何影響全球功率元件供應鏈?

📑 目錄

  1. 🌟 引言:台亞與積亞的戰略意義

  2. 🏭 台亞與積亞半導體的產業定位

  3. ⚡ SiC 與 GaN 的市場趨勢

  4. 💰 投資計畫解析:45 億元大手筆布局

  5. 📊 表格解析:SiC 與 GaN 應用比較

  6. 🌱 永續發展與智慧製造導入

  7. 💡 專家觀點與建議

  8. ✅ 結論:台亞 × 積亞的雙軌並進未來


🌟 引言

台亞 (2340-TW) 旗下子公司 積亞半導體,近期在第三代半導體領域進行大規模布局,宣布 斥資 45 億元新台幣,並向母公司新竹廠租賃部分廠房以建立 全新 SiC 功率元件產線。此舉不僅僅是單純的產能擴張,更是台亞在 碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 雙主軸策略上的全方位推進,標誌著公司正式進入全球化合物半導體競爭的核心戰場。

積亞半導體將專注於 SiC 功率元件的研發與量產,年產能目標初期達 2000 片,未來隨產線擴張可望達到萬片級別。母公司台亞則持續發展 GaN 功率元件,鎖定 快充設備、充電樁與高頻通訊應用,形成 SiC × GaN 雙軌策略,既能滿足高壓高功率市場需求,也能切入高頻高速應用領域。這種母子公司協同策略,使台亞在產品線布局、技術研發與市場滲透方面具備更高的彈性與效率。

從產業政策角度來看,台灣政府正全力推動 第三代半導體國家隊,以確保在新能源車、綠能、工業電子及高速通訊等關鍵領域的自主供應能力。台亞與積亞的雙軌策略正好契合政策方向,不僅可獲得研發補助、稅務優惠,也能借助 工研院、國科會與半導體研究中心 等資源加速技術突破與量產導入。

全球競爭格局方面,SiC 與 GaN 市場正快速擴張,主要玩家包括 美國 Wolfspeed、歐洲 STMicroelectronics 及日本 Rohm 等,市場競爭激烈且技術壁壘高。積亞與台亞的策略布局,不僅是搶占國內市場,更是對國際市場發出的挑戰信號。透過母子公司協同,台亞可形成 技術互補、產能互補與市場互補 的完整生態系統。

此外,這次投資計畫同時強調 智慧製造與永續發展。積亞新建產線將導入 AI 智慧監測、大數據分析與自動化封裝系統,提高良率與生產效率;同時配合 綠色製程、能源回收與廢材循環再利用,確保投資計畫符合 ESG 標準,增強政策支持與國際客戶認可度。

綜合來看,台亞 × 積亞的 SiC × GaN 雙軌布局,已經不僅僅是技術或產能的單一擴張,而是一場涵蓋 技術突破、供應鏈整合、政策協作與市場戰略 的全面布局。未來若能持續提升材料良率、優化製程、整合本土供應鏈,並搶先布局新能源車、綠能與高速通訊應用,台亞有望成為 台灣第三代半導體領軍企業,甚至挑戰全球市場格局。


🏭 台亞與積亞半導體的產業定位

📌 台亞 (2340-TW) 的核心布局

台亞成立多年,以電子材料與元件為主要發展領域。近年來,公司積極轉型,將重心放在 第三代半導體

  • GaN(氮化鎵)功率元件:台亞鎖定新能源與充電樁市場,隨著電動車與高速快充需求崛起,GaN 的高效率與低損耗特性,成為絕佳解決方案。

  • 材料與製程能力:台亞在基板與材料供應鏈上擁有一定基礎,這也是公司能快速轉進新領域的原因。

📌 積亞半導體的角色與任務

積亞半導體則專注於 SiC 功率元件,負責將母公司在材料、資金與市場的優勢轉化為具體的產能。

  • 租賃廠房:直接使用台亞新竹廠的部分廠區,節省土地開發成本與時間。

  • 分階段投資:總投資 45 億元,將分年度投入,確保現金流健康。

  • 智慧製造:導入 自動化與數據化系統,提高良率並降低營運風險。

這種 母子公司分工 的模式,讓台亞能同時布局 GaN 與 SiC,避免資源分散。


⚡ SiC 與 GaN 的市場趨勢

🌍 全球功率半導體市場規模

根據 Yole Intelligence 報告,全球功率半導體市場預估將從 2023 年的 230 億美元,成長至 2030 年的 450 億美元,CAGR 達 9% 以上。其中,SiC 與 GaN 的成長最快。

🔋 SiC 與 GaN 技術比較

技術特性應用領域優勢限制
SiC (碳化矽)高耐壓、耐高溫電動車主驅動、工業馬達、太陽能逆變器高效率、低損耗製造成本高
GaN (氮化鎵)高頻率、高效率快充、5G 基站、資料中心小型化、低功耗耐壓相對較低

📈 應用領域逐列分析

  • 電動車 (EV):SiC 成為主驅動與快充核心材料。

  • 工業能源:馬達控制、逆變器需求龐大。

  • 消費電子:GaN 充電器已成市場主流。

  • 通訊產業:GaN 在 5G 基站與高頻應用展現優勢。


💰 投資計畫解析:45 億元大手筆布局

台亞與積亞的 45 億元投資計畫,是公司在第三代半導體領域的一次全面布局,涵蓋 廠房租賃、設備採購、智慧製造、產能規劃與市場佈局。這不只是資金投入,更是策略性的產業決策,對未來台灣在全球 SiC 與 GaN 市場的競爭力至關重要。

🏗️ 租賃廠房的戰略考量

積亞選擇 向母公司台亞新竹廠租賃廠房,而非自行購地建廠,策略性原因如下:

  1. 節省時間,快速投產
    在快速成長的 SiC 市場中,時間就是競爭力。透過租賃現有廠房,積亞可立即導入產線,快速進入市場搶占先機,避免建廠與土地規劃所需的漫長周期。

  2. 降低資本支出
    自行購地建廠需要大量資金,包括土地成本、廠房建設費與基礎設施投入。租賃方案能將這部分成本轉化為運營資金,用於購置先進設備與研發投資。

  3. 彈性規劃與擴充空間
    透過租賃,積亞可依市場需求逐步擴充產能,並保留調整產線布局的彈性。這對快速變化的第三代半導體市場尤為重要,能降低固定資產風險。

  4. 政策與環境友好
    使用現有廠房可減少土地開發與建築施工對環境的影響,符合政府 ESG 與永續發展 的政策導向,增加政策支持與補助機會。


🛠️ 斥資 7.42 億元設備採購細節

積亞在設備方面已投入 7.42 億元新台幣,建設完整 SiC 生產與檢測體系,核心設備包括:

  • 高溫退火爐:確保 SiC 晶圓在高溫環境下形成穩定晶格,提升功率元件可靠性。

  • 離子佈植系統:對 SiC 材料進行摻雜控制,實現最佳電性能。

  • 智慧檢測設備:導入 AI 與影像分析,進行晶圓表面缺陷監測,提高良率。

  • 自動化封裝產線:從晶圓切割、封裝到測試自動化,提高生產效率並降低人工誤差。

此外,積亞計畫導入 AI 產線監控系統與大數據分析平台,即時監控製程參數與良率,減少次品率與能源浪費。

小貼士:自動化與智慧化製程是 SiC 成本下降與量產關鍵,尤其在初期產能有限的情況下,可大幅提升單位產量價值。


📊 年產能規劃與產線擴張目標

積亞的產能規劃採 階段性投產策略

階段產能規模投入重點預期市場應用
第一階段年產 2000 片租廠房導入小型產線電動車 EV 主驅動、工業能源模組
第二階段萬片級產能增設智慧化生產設備與封裝線快充、充電樁、再生能源應用
長期目標多萬片與母公司 GaN 產線協同,擴大市場全球 EV 與能源供應鏈

透過逐年投入與分階段擴張,積亞可保持 資金靈活性,降低投資風險,並迅速累積市場經驗。


📊 表格解析:SiC 與 GaN 應用比較

項目SiCGaN
耐壓能力高 (>1200V)中等 (<600V)
導通損耗更低
頻率中等
成本中等
應用領域EV 主驅動、工業能源、太陽能逆變器快充、5G 基站、資料中心、消費電子
製程難度高,需要精密晶圓加工中等,易量產

📌 可以看出,SiC 與 GaN 並非互相取代,而是市場互補。SiC 適合高壓大電流的應用,GaN 適合高頻快速開關領域。透過雙軌策略,台亞可以同時捕捉兩種市場需求。


🌱 永續發展與智慧製造導入

積亞半導體的產線設計不僅追求產能與良率,還將 綠色生產與智慧化製造 作為核心:

  1. ♻️ 節能減碳
    使用高效能製程設備,優化能源使用,降低生產過程中的碳排放,符合 ESG 及國際認證標準。

  2. 📡 智慧監測
    導入 IoT 感測器與 AI 數據分析平台,對每片晶圓的製程參數、溫度與濕度進行即時監控,降低次品率,提升製程穩定性。

  3. 🔄 循環再利用
    將生產過程中產生的廢晶圓、化學試劑等材料進行回收再利用,符合綠色製造理念,同時降低原料成本。

  4. 政策與客戶優勢
    綠色與智慧製造能力,不僅符合政府政策支持條件,也提高國際客戶的信任度,有助於與 Tesla、裕隆、台達電等策略合作。

小結:智慧製造與永續策略不僅降低成本,還能提升台亞與積亞的國際競爭力,是第三代半導體產業必備條件。


💡 專家觀點與建議

🏛️ 政策支持:第三代半導體國家隊的戰略優勢

台灣政府正全力推動「第三代半導體國家隊」,目標是掌握 碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN) 的自主供應鏈,避免過度依賴美國、日本或歐洲的技術與材料。
台亞若能與 工研院、國科會、台灣半導體研究中心 等單位合作,不僅能取得研發補助,還能利用學研單位的先進製程技術與量測平台,加速產品成熟度。
此外,台灣政策中亦涵蓋 稅務減免、投資抵減與綠能轉型補助,對於正在建置廠房與導入智慧製造的積亞來說,等於降低投資風險,提升資金運用效率。

👉 建議:台亞應該積極申請「產學研合作計畫」,並與台電、中油、車用電力模組系統商建立合作關係,讓政策資源能夠轉化為實際商業成果。


🔗 供應鏈整合:打造台灣自主 SiC 生態系

目前全球 SiC 晶圓市場主要由 Wolfspeed(美國)、Rohm(日本)、STMicroelectronics(歐洲) 壟斷,材料供應成本高昂且掌握在國際大廠手中。
台亞若要降低依賴,必須與本土供應商如 環球晶、合晶 等矽晶圓大廠展開策略合作,逐步建立 本地 SiC 晶棒切割、磊晶、晶圓製造、封測 的完整鏈條。

同時,在設備領域可與 漢民科技、帆宣、家登 等台廠合作,在光罩、檢測、腔體設備上建立成本優勢。
測試與封裝部分則可交由 日月光、矽格、力成 等領導廠商,共同開發專屬於 SiC 的高功率封裝技術。

👉 建議:建立 台亞 × 積亞 × 本土供應鏈聯盟,逐步打造台灣自有的「SiC 島鏈」,降低地緣政治風險。


⚙️ 技術突破挑戰:良率、散熱與成本

儘管 SiC 被視為 EV 與新能源的關鍵材料,但目前仍有三大技術痛點:

  1. 良率低:單晶缺陷率高,導致成本難以下降。

  2. 散熱瓶頸:SiC 功率模組在高壓大電流下的熱管理仍是挑戰。

  3. 製程複雜:從外延磊晶到切割、拋光,每一環節都需要更高精度。

台亞若要成為市場領導者,必須:

  • 加大材料研發:投資缺陷檢測與磊晶改良,提升晶圓良率。

  • 優化封裝散熱:導入 氮化鋁(AlN)、鑽石基板散熱 等前沿技術。

  • 導入 AI 智慧製造:利用大數據與 AI 演算法即時監控製程,降低誤差。

👉 建議:台亞可與 清大、成大、台大電機系 等研究團隊合作,提升在材料科學與製程演算法的突破,避免只在中游製造端競爭。


🌍 全球競爭壓力:如何突圍?

全球第三代半導體戰爭激烈:

  • 美國:Wolfspeed 持續擴廠,與特斯拉、福特深度合作。

  • 日本:Rohm 與豐田系緊密合作,專注車用模組。

  • 中國:華潤微、三安光電獲得政策巨額補貼,產能快速擴張。

在這樣的環境下,台亞要突圍,就必須找到 差異化市場

  • EV 車用功率模組(積亞主攻):與鴻海 MIH 聯盟、裕隆合作,搶進新能源車。

  • 快充與通訊(台亞主攻):結合 GaN 與 SiC 的混合應用,進攻 5G 基地台與高速充電。

  • 再生能源應用:進入太陽能逆變器、風電變流器市場。

👉 建議:鎖定 台灣 EV、生醫設備、綠能政策 三大內需市場,逐步累積技術與市佔率,再拓展國際。


✅ 結論:台亞 × 積亞的雙軌並進未來

透過這次 45 億元投資,台亞與積亞已經形成清晰的「雙軌策略」:

  • 積亞:專注 SiC 功率元件,攻占 EV、再生能源、電力管理 應用。

  • 台亞:發展 GaN 元件,搶進 快充、通訊、消費性電子 市場。

這種母子公司分工模式,能讓台亞在市場上同時具備 短期營收動能(GaN 市場快速成長)長期戰略佈局(SiC 市場爆發期將至)

📈 未來三大關鍵成功要素

  1. 技術突破:提升 SiC 晶圓良率與散熱技術,降低單位成本。

  2. 供應鏈整合:打造本土完整 SiC 生態圈,減少對國際大廠依賴。

  3. 市場滲透:搶進 EV、再生能源與快充應用,累積出貨經驗與品牌信任。

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